查看王军喜资料
| 姓 名： | 王军喜 | 性 别： | 男 |
| 民 族： | 汉 | 出生年月： | 1975年7月 |
| 文化程度： | 博士 | 专 业： | 光电子学 |
| 工作单位： | |||
| 工作职务： | |||
| 技术职称： | 教授、研究员 | 参加党派 | 中共党员 |
| 主要兼职： | 北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心主任、国家半导体照明研发及产业联盟副秘书长、中国材料研究学会理事、中国材料研究学会青年委员会理事、中国照明学会农业照明委员会副理事长 | ||
| 主要经历： | 现为中国科学院半导体所研究员、博士生导师，主要研究方向为半导体照明氮化镓外延芯片材料生长研究及新型LED器件应用研究；带领研究团队通过自主之别的深紫外专用设备，获得了国际警惕质量最好的AIN材料，并在国内首次制备成功了发光波长300nm一下的毫瓦级深紫外LED器件，填补了该领域空白；主持过多项国家“863”项目、“973”项目，基金委重点项目等国家重大项目，主持的深紫外发光器件课题获得“863”计划连续三次滚动支持；在国内外高质量学术期刊上发表SCI研究论文90余篇，申请专利160多项，授权专利45想，多次参加国内外学术会议做邀请报告，作为副主编完成了《器件与工艺技术》专著一本。个人获得国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖以及北京科学技术奖一等奖各一项 | ||